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器件選型認證課程

課程大綱
第一章：器件選型與替換的基本問題
1.1、器件替換常見問題現(xiàn)象
1.1.1、原來正常工作的產(chǎn)品在器件替換后不能工作或性能降低
1.1.2、器件替換后，批次不良率數(shù)據(jù)變差
1.1.3、初次選型或替換時需要關(guān)注的故障誘發(fā)指標參數(shù)有哪些
1.1.4、如上問題的成因機理、分析方法
1.2、器件選型與替換技術(shù)分析要素
1.2.1、封裝帶來的問題
1.2.2、內(nèi)部結(jié)構(gòu)和材質(zhì)帶來的問題
1.2.3、制造工藝帶來的使用性問題
1.2.4、內(nèi)部電路不同帶來的參數(shù)差異
相同功能器件的內(nèi)部拓撲圖對比、接口特性差異分析
1.2.5、批次質(zhì)量水平一致性評價方法
以TVS、MOS管為例說明一致性指標的選擇、統(tǒng)計分布圖特征與隱含問題
1.2.6、有益參數(shù)和有害參數(shù)識別
以電容、運放為例說明在不同電路中的有益有害指標識別方法
1.2.7、器件應(yīng)用前后級匹配選型設(shè)計注意事項
阻抗匹配原理，以數(shù)字芯片數(shù)據(jù)接口和模擬放大電路信號采集端口為例

第二章：導(dǎo)致器件故障的應(yīng)力類型與場合
2.1、瞬態(tài)EOS與累積性EOS
EOS成因、損傷特征、瞬態(tài)/累積性EOS特征對比、解決措施
2.2、溫度與溫度沖擊
器件受溫度和溫度沖擊應(yīng)力的影響部位和機理，故障特征
2.3、閂鎖
CMOS類IC的閂鎖失效機理、測試方法、故障特征、解決措施
2.4、熱損傷
成因（瞬態(tài)過流、持續(xù)過流、負荷特性曲線超標）、損傷特征、解決措施
2.5、力學(xué)損傷
溫度/溫度沖擊/振動導(dǎo)致的力學(xué)損傷機理、損傷特征解決措施
2.6、MSD
潮敏器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，失效的特征、機理、解決措施
2.7、潮濕與腐蝕
腐蝕的機理，故障特征、解決措施
2.8、VP與ESD
尖峰電壓的產(chǎn)生場合，損傷特征、解決措施
2.9、過渡過程
過渡過程對能量接口和數(shù)據(jù)接口的不同影響分析、過渡過程超調(diào)和振蕩的產(chǎn)
生場合、解決措施
2.10、熱插拔
熱插拔的發(fā)生場合、損傷特征、解決措施
2.11、接地不良
接地不良引起器件故障的發(fā)生機理、解決措施
2.12、設(shè)備互聯(lián)匹配問題
2.13、電感瞬態(tài)過程
反向電動勢的影響、解決措施
2.14、電容瞬態(tài)過程
2.15、時間應(yīng)力自然老化
2.16、氣壓問題
安規(guī)、高壓、發(fā)熱、密封器件的壓差作用機理

第三章：選型認證與替換方法、入廠篩選和壽命終止極限判定
3.1、分立元件
電阻、電容、電感、磁珠、導(dǎo)線的篩選指標、質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)
3.2、保護類器件
保險絲/TVS/MOV/壓敏電阻/GDT/NTC電阻/PTC電阻的篩選指標、
質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)
3.3、模擬類IC類器件
運放、ADDA、LDO的篩選指標、質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)
3.4、接口器件
光耦隔離電路、CAN總線、485總線、模擬信號傳輸接口電路的篩選指標、
質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)
3.5、二極管三極管
篩選指標、質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)
3.6、功率開關(guān)器件
MOSFET/IGBT/功率三極管/繼電器的篩選指標、質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)
3.7、按鍵
3.8、線纜接插件
篩選指標、質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)
3.9、數(shù)字類IC器件
MCU、存儲芯片、邏輯門電路的篩選指標、質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)

第四章：器件失效分析方法
4.1、目測與鏡檢
4.2、參數(shù)統(tǒng)計分析方法
4.3、IV曲線
4.4、DPA
4.5、X光
4.6、失效特征示例和失效特征判別方法
以IC芯片、電阻、電容、二極管三極管、保護器件為例分別展開

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